● 会议名称（中文）： 第八届全国分子束外延学术会议

● 会议名称（英文）： The 8th National Conference on Molecular beam epitaxy

● 所属学科： 材料科学　 物理学　 
 
● 会议类型： 国内会议 

● 会议论文集是否检索： 不详 

● 开始日期： 2009-9-24

● 结束日期： 2009-9-27

● 所在国家： 中华人民共和国 

● 所在城市： 北京市   海淀区 

● 具体地点： 新疆维吾尔自治区 乌鲁木齐市 环球大酒店

● 主办单位： 中国电子学会电子材料分会、中国有色金属协会半导体材料分会

● 协办单位： 中国科学院新疆理化技术研究所

● 承办单位： 中国科学院半导体研究所

● 会议主席： 曾一平

● 组织委员会主席： 王晓军

● 摘要截稿日期： 2009-6-15

● 全文截稿日期： 2009-8-31

● 会务组联系方式

联系人： 徐波，金鹏，刘超
联系电话： 010-82304227、82304026、82304101
传真： 010-82304232
E-mail： srex@semi.ac.cn
通讯地址： 北京市清华东路甲35号，中国科学院半导体研究所
邮政编码： 100083

● 会议背景介绍： 　　

    全国分子束外延会议每两年举办一次。会议旨在展示我国在分子束外延及其相关领域的新进展、新动态、新成果，交流、探讨我国分子束外延发展中存在的问题和未来的主要发展方向，拓宽分子束外延的应用领域，为我国从事分子束外延技术以及相关材料和器件研究的科研人员提供相互了解和交流的机会，同时也为与分子束外延相关的上下游产业提供信息沟通和宣传的渠道，从而促进我国分子束外延技术及其相关领域科学技术的发展。
　　本次会议由中国科学院半导体研究所承办，中国科学院新疆理化技术研究所协办。会议将邀请国内分子束外延技术领域专家、学者作专题大会报告。
　　殷切希望我国从事分子束外延技术及相关领域的专家、学者、科研技术人员、学生踊跃参加会议，积极投稿，同时也欢迎与分子束外延技术相关的产品、设备、测试分析仪器等领域的科研技术人员积极参会。凡与会议议题相关的论文均可投稿。
 
● 征文范围及要求：

1.分子束外延生长理论、技术等
2.低维材料生长、分析研究
3.Si，SiGe外延材料生长
4.GaAs，InP基微结构材料生长及相关器件研究
5.Sb化物材料生长及相关器件研究
6.II/VI族材料生长及相关器件研究7. 氮化物材料生长及相关器件研究研究
8.氧化物材料生长及相关器件研究
9.稀磁半导体材料及自旋电子学
10.低温GaAs及太赫兹材料与器件
11.其它与分子束外延技术相关的外延技术、新材料、新器件等。
征文要求：
1.论文要求反映国内外最新研究动态和成果，主题突出、层次分明、论述严谨、数据真实，且未在国内外公开刊物或其它学术会议上发表。
2.论文先投摘要，待审定录取后再投全文。论文摘要来稿需注明论文题目、作者姓名、单位、通讯地址（包括电子邮箱地址），论文编辑采用A4页面，标题用3号黑体字，作者用4号字，其余用5号字体，字体统一用宋体，包括图表在内每篇论文不超过2个版面页。会议统一接受电子文档投稿。
3.论文以电子邮件附件形式发送到大会投稿信箱：srex@semi.ac.cn
4.论文摘要投稿截至时间：2009年6月15日，论文录取通知：2009年7月中旬。
5.会议第二轮通知将于5月中旬发布