2010年1月12日　-15日第十一届全国MOCVD学术会议　　

●会议名称（中文）：第十一届全国MOCVD学术会议　　

●所属学科：材料科学　 冶金工程技术　

●会议类型：国内会议

●开始日期：　2010年1月12日　　　

●结束日期：　2010年1月15日　

●所在国家：中华人民共和国 　　

●所在城市：江苏省   苏州市 　　

●主办单位：中国有色金属学会

●协办单位：苏州吴中经济开发区管理委员会　　

●承办单位：中国科学院半导体研究所 国家半导体照明工程研发及产业联盟　　

●组织委员会主席：王国宏　　

●摘要截稿日期：　2009-11-13　　　

●联系人：赵丽霞　　

●联系电话：010-82304053　　

●传真：010-82305245　　

●E-mail：ghwang@semi.ac.cn　　

●通讯地址：北京市海淀区清华东路甲35号 中国科学院半导体研究所　　

●邮政编码：100083　　

●会议背景介绍：　　

    本届会议旨在展示我国在金属有机化学气相淀积（MOCVD）技术领域研发的新理论、新进展，及其在材料应用领域的新动态、新成果，为我国从事MOCVD技术研发以及相关材料和器件研究的科研人员提供相互了解和交流的机会，探讨目前存在的问题和以后的主要发展方向，促进与MOCVD相关上中下游产业界的沟通与合作，进一步加快我国MOCVD技术创新及该技术的推广应用。

    殷切希望国内外从事MOCVD及相关领域的专家、学者、科研技术人员、学生踊跃投稿，产业界人士积极参加会议，并提供与MOCVD技术相关的工作进展及产业概况的信息图片和资料。凡符合会议议题而且未在国内外学术刊物或会议上发表过的论文均可投稿。所有论文将编入会议文集，优秀论文将推荐到相关期刊上发表。　　

●征文范围及要求：　　

征文内容：

   1、设备的研制与开发    2、MO源、衬底等基础材料    3、III-V族化合物材料的生长和制备   4、生长机理和动力学研究  5、II-VI族及其化合物材料生长和制备    6、其他相关技术
 征文要求：

    会议论文摘要及回执（附件1）务必在　2009年11月13日前　通过Email（推荐）或传真提交会议组委会秘书处。论文需电子版一份，中英文稿件皆可；论文摘要一般为A4纸，具体请参见征文模板（附件3）。会议筹备组将根据再要内容确定交流类型，并编撰会议文集。