2015年8月21日第十一届全国分子束外延学术会议

会议名称(中文)：  第十一届全国分子束外延学术会议

所属学科：  分析化学,半导体技术,材料科学基础学科,金属材料

开始日期：  2015-08-21

所在国家：  中华人民共和国

所在城市：  四川省     成都市

主办单位：  中国有色金属学会半导体材料学术委员会和中国电子学会电子材料分会

承办单位：  中国科学院红外成像材料与器件重点实验室、中国科学院上海技术物理研究所

全文截稿日期：  2015-05-15

会务组联系方式

联系人：  陈建新、陈路
联系电话：  021-25051488,021-25051480
传真： 
E-MAIL：  MBE2015@mail.sitp.ac.cn

会议网站：  http://mbe2015.csp.escience.cn/dct/page/1

会议背景介绍： 

    全国分子束外延学术会议是每两年举办一次的全国性学术会议。会议的宗旨是展示我国在分子束外延（MBE）及其相关领域的新进展、新动态、新成果，交流和探讨我国分子束外延发展中存在的问题和未来的发展方向，拓宽分子束外延的应用领域，为我国从事分子束外延技术以及相关材料和器件研究的科研人员提供相互了解和交流的机会，同时也为分子束外延相关的上下游产业提供信息沟通和宣传的渠道，从而促进我国分子束外延技术及其相关领域科学技术的发展。
    本次会议“第十一届全国分子束外延学术会议”由中国有色金属学会半导体材料学术委员会和中国电子学会电子材料分会共同主办，中国科学院上海技术物理研究所和中国科学院红外成像材料与器件重点实验室承办。会议拟定于 2015 年 8月中下旬初定在成都召开。会议将邀请国内外MBE领域著名专家学者作专题学术报告，组织国内外同行的大会和分组报告。

征文范围及要求： 

征文范围：
1、分子束外延基础理论与技术
2、低维材料生长、分析
3、IV族外延材料生长、分析
4、III-V族外延材料生长及相关器件
5、II-VI族外延材料生长及相关器件
6、稀磁半导体、氧化物、拓扑绝缘体及其它新型材料
7、太赫兹材料与器件
8、氮化物及宽禁带半导体
9、分子束外延的批量生产
征文要求：
   1、 论文要求反映国内外最新研究动态和成果，重点突出、层次分明、论述严谨、数据真实，且未在国内外公开刊物或其他学术会议上发表。
   2、 论文可先投摘要，待审定录用后再投全文。论文摘要需注明论文题目、作者姓名、单位、通讯地址、主要结果等。论文编辑采用A4页面，标题用三号黑体，作者用四号字，其余用五号字，除标题外字体统一用宋体，包括图标在内每篇论文摘要不超过2个页面。会议统一接受电子PDF文档。
   3、 论文请以电子邮件附件形式发送到会议投稿信箱：
联系人：陈建新、陈路
E-mail：MBE2015@mail.sitp.ac.cn