2014年12月7日-8日苏州·“氮化物半导体电子器件”学术讨论会

●会议名称(中文)：  “氮化物半导体电子器件”学术讨论会

●所属学科：  半导体技术

●开始日期：  2014-12-07

●结束日期：  2014-12-08

●所在国家：  中华人民共和国

●所在城市：  江苏省     苏州市

●主办单位：  香山科学会议

●会务组联系方式

联系人：  香山会议办公室
联系电话：  010)68597240
传真：  (010)68597240
E-MAIL：  xshy@cashq.ac.cn

●会议网站：  http://www.xssc.ac.cn/ConfRead.aspx?ItemID=2345

●会议背景介绍： 

香山科学会议是由国家科技部（原国家科委）于1992年倡导发起，在科技部和中国科学院的共同领导和支持下于1993年4月正式创办，相继得到科技部、中科院和学部、国家自然科学基金委员会、中国工程院、教育部、解放军总装备部、原国防科工委、中国科学技术协会、国家卫生和计划生育委员会与农业部等部门的联合支持。香山科学会议是我国科技界以探索科学前沿、促进知识创新为主要目标的高层次、跨学科、小规模的常设性学术会议。会议实行执行主席负责制。会议以评述报告、专题报告和深入讨论为基本方式，探讨科学前沿与未来。
氮化物半导体电子器件在无线通信、雷达、功率开关等领域有诸多应用。相比于传统的半导体材料硅而言，氮化物半导体电子器件具有高击穿电压、高频、高输出功率密度、适合高温等恶劣环境工作的优势，因此受到各国政府、学术界和工业界的高度重视。然而，自1993年M. A. Khan团队研制出世界上首支基于AlGaN/GaN的高迁移率电子晶体管以来，虽然氮化物电子器件的文献报道性能不断攀新高，但是产业化和应用方面远远落后于已经形成数千亿美元的发光二极管和半导体激光器。究其主要原因在于高性能、低成本的氮化物半导体电子器件的材料生长与加工工艺等尚未完全成熟，还有电流崩塌、阈值电压漂移、击穿电压低等可靠性问题。目前国际上普遍认为电子器件将是继LED之后氮化物半导体领域的下一个最重要的研究热点。我国在氮化镓自支撑衬底、硅衬底、及碳化硅衬底上外延生长制备氮化物半导体电子器件有着较好的研究基础，并在一些领域已达到了国际先进水平。因此，对氮化物半导体电子材料与器件的关键科学问题的研究与探索不仅是宽带隙半导体物理的前沿研究方向，而且有望促进一系列重要成果的产生，进而形成对我国国防应用及战略新兴产业的有力支撑。
为促进氮化物半导体电子器件研究领域的学术交流，提升我国该领域的研究水平，进而推进知识创新与产学研合作，香山科学会议定于2014年12月7～8日在苏州召开以“氮化物半导体电子器件”为主题的学术讨论会，会议将邀请多学科跨领域的专家学者与会，围绕（1）氮化物半导体电子器件的材料生长与物性研究；（2）氮化物半导体功率电子器件研究；（3）氮化物半导体微波功率器件研究；（4）氮化物半导体电子器件的可靠性与应用研究等中心议题进行深入讨论。

会议执行主席：
郝    跃
教    授
西安电子科技大学
杨    辉
研究员
中科院苏州纳米所
沈    波
教    授
北京大学
陈    敬
教    授
香港科技大学
主题评述报告：氮化物半导体电子器件若干新进展，郝    跃
        中心议题评述报告：
       1. GaN基异质结构的外延生长和物理性质，沈    波
       2. 氮化物半导体电力电子器件：关键技术及挑战，陈    敬
       3. 氮化镓微波功率器件进展，蔡树军
       4. GaN在移动基站通信中应用的挑战和前景探讨，戈黎明