您现在的位置: 369会网 >> 学术交流会 >> 其他 >> 正文

2015年11月23日全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会

发布人:许玲燕    更新时间:2015/11/19 11:07:54    点击数:383

[ 会议基本信息 ]
会议名称(中文):  2015全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会
所属学科:  电子工程,半导体技术
开始日期:  2015-11-23
所在国家:  中华人民共和国
所在城市:  福建省     厦门市
具体地点:  厦门杏林湾大酒
主办单位:  中国半导体行业协会分立器件分会、专用集成电路重点实验室、中国电子科技集团公司第十三研究所

[ 重要日期 ]
全文截稿日期:  2015-10-16


[ 会务组联系方式 ]
联系人:  李永 13933075237
联系电话:  0311-87091519
传真:  0311-87091477
E-MAIL:  csiadd@126.com
会议网站:  http://phy.scut.univ.pub/article/z-f-2-0-1-5-q-g-x-x-b-d-t-g-l-q-j-j-y-y-j-s-y-t-h

会议背景介绍: 

    为推动我国新型功率半导体器件技术水平进一步提高,加快其应用推广,提高自主创新能力。由中国半导体行业协会分立器件分会、专用集成电路重点实验室、中国电子科技集团公司第十三研究所共同承办的“2015’全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会”于 2015 年 11 月 23 日在福建厦门召开。本会议是全国新型功率半导体器件及应用领域一次重要的学术、技术交流活动,将为广大从事新型功率半导体材料、器件及其应用技术工作者提供一个高起点、大范围、多领域的交流平台,增进产、学、研之间的技术交流,相互学习,共同提高。为此大会组委会热忱欢迎广大企业、科研院所、高等院校从事新型功率半导体材料、器件及应用技术的相关领域人员,以及相关配套应用的电子专用设备供应商共赴盛会,交流分享自己的应用经验与开发成果。

征文范围及要求: 
征文范围
1. 宽禁带(GaN、SiC 等)外延材料的结构设计、制备与检测技术;
2. 功率器件用 GaAs、InP 外延材料的结构设计、制备与检测技术;
3. 基于金刚石、石墨烯的功率器件的结构设计、加工与测试技术;
4. 微波功率器件的结构设计、加工与测试技术;
5. 电力电子器件的结构设计、加工与测试技术;
6. 特种高功率半导体器件的结构设计、加工与测试技术;
7. 功率器件的封装和可靠性技术;
8. 功率器件的系统集成技术;
9. 功率器件及其系统集成的仿真技术;
10. 相关的加工、检验、测试的先进仪器与设备;
11. 功率器件及其电路在新能源汽车、风能太阳能、智能电网、高铁、电子制造业、网络通信、消费电子、工业控制等领域的应用技术。

网友评论

Copyright © 2007-2013 369会网 上海今韦信息科技有限公司 版权所有
咨询热线:86-21-51001710 传真:86-21-51615922 地址:上海虹口区新市路
支持单位:上海顾客满意度评价中心 上海全球事件经济研究中心
法律顾问:上海市光明律师事务所 李佩芳律师
沪ICP备06051309号 上海市"专精特新”企业