2014新兴电子材料和器件物理国际学术研讨会

所属学科：  电子工程,半导体技术
开始日期：  2014-06-10
结束日期：  2014-06-13
所在国家：  中华人民共和国
所在城市：  上海市     宝山区
具体地点：  上海大学校本部乐乎新楼
主办单位：  上海大学理学院物理系
联系人：  任伟教授
联系电话：  021-66132812
传真： 
E-MAIL：  renwei@shu.edu.cn
通讯地址： 
邮政编码： 
会议注册费： 
会议网站：  http://pmedia.shu.edu.cn/eemd/
会议背景介绍： 
半导体微电子器件是当代信息技术的基础，随着技术的发展和需求的提升，半导体微电子器件的集成度越来越高，尺寸越来越小，到今天已经达到纳米量级。人们在研究纳米电子器件的过程中建立起来的一门新兴学科被称为纳米电子学。在微电子时代，“电子设计自动化”（EDA）方法已经被工业界广泛使用。而纳米电子系统的性质与材料本身的化学特性以及原子结构密切相关，对外界环境尤其是化学环境比较敏感，且元件主要在非平衡条件下工作。这些变化导致原来微电子器件的EDA方法不再适用于纳米电子器件的设计，从而有必要发展一种合适的理论框架及相应的建模工具，以便在原子尺度定量地预测纳米体系的本征量子输运性质。同时，工业界也需要一套基于量子输运理论所构建的纳米电子学自动化设计解决方案（nano-EDA）。
        凝聚态物理和材料物理学中应用最为广泛的原子尺度计算方法是基于密度泛函理论（DFT）的；而量子输运的基本方法则是基于Keldysh非平衡格林函数理论（NEGF）和散射矩阵理论（SMT）。这些方法经过长期的发展，已较为成熟，且相互之间联系较为紧密。但是，若不依赖参数地预测大多数纳米结构的非线性以及非平衡态的量子输运性质，则需要将量子输运理论（NEGF、SMT）和密度泛函理论(DFT)结合在一起，由DFT描述体系的电子结构，再由NEGF或者SMT方法基于DFT的结果对纳米结构的量子输运性质进行第一性原理模拟，即NEGF-DFT或SMT-DFT。在过去几年的实践中，这些方法成功地应用于纳米体系量子输运性质的预测，例如半导体太阳能电池、纳米线场效应晶体管、磁隧道结、磁随机存储器(MRAM)、自旋泵、热电元件、自旋-轨道耦合作用传感器、拓扑绝缘体、碳纳米电子学、自旋转移矩(spin transfer torque)、电子迁移、器件互联、扫描隧道电子显微镜图像模拟、分子电子学和纳米尺度生物传感器等。对这些具有重要实际意义的纳米电子元件进行第一性原理研究，是一个诞生不久且发展迅速的领域。在对该领域一些基本问题的观点上和具体实现的手段上，国际、国内各个研究组的观点尚不统一，非常需要一个交流的平台，让学者们各抒己见，相互探讨。此次研讨会面向对纳米电子器件的研究与设计感兴趣的研究人员和学生，介绍国内外在这个领域的最新进展，交流、探讨该领域在未来的发展方向，并为加强国际、国内“理论——实验——产业”三方面的研究人员之间的合作创造环境。